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半导体激光器的原理

时间:2017-05-12 来源:新特光电 访问量:1018

半导体激光器即为激光二极管,记作LD。它是前苏联科学家H.Γ.巴索夫于1960年发明的。半导体激光器的结构通常由P层、N层和形成双异质结的有源层构成。

半导体激光器的发光是利用光的受激辐射原理。处于粒子数反转分布状态的大多数电子在受到外来入射光子激励时,会同步发射光子,受激辐射的光子和入射光子不仅波长相同,而且相位、方向也相同。这样由弱的入射光激励而得到了强的发射光,起到了光放大作用。

但是仅仅有光放大功能还不能形成光振荡。正如电子电路中的振荡器那样,只有放大功能不能产生电振荡,还必须设计正反馈电路,使电路中所损失的功率由 放大的功率得以补偿。同样,在激光器中也是借用电子电路的反馈概念,把放大了的光反馈一部分回来进一步放大,产生振荡,发出激光。这种用于实现光的放大反 馈的仪器称为光学谐振腔。

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